MBR600200CT
MBR600200CT
部品型番:
MBR600200CT
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15149 Pieces
データシート:
MBR600200CT.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:920mV @ 300A
電圧 - 逆(VR)(最大):200V
サプライヤデバイスパッケージ:Twin Tower
速度:Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ:-
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:Twin Tower
動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 150°C
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
製造元の部品番号:MBR600200CT
拡張された説明:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 300A Chassis Mount Twin Tower
ダイオードタイプ:Schottky
ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
説明:DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:3mA @ 200V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり):300A
Email:[email protected]

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