MBT35200MT1G
部品型番:
MBT35200MT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15758 Pieces
データシート:
MBT35200MT1G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):35V
IB、IC @ Vce飽和(最大):310mV @ 20mA, 2A
トランジスタ型式:PNP
サプライヤデバイスパッケージ:6-TSOP
シリーズ:-
電力 - 最大:625mW
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:SOT-23-6
他の名前:MBT35200MT1GOSDKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:9 Weeks
製造元の部品番号:MBT35200MT1G
周波数 - トランジション:100MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP
説明:TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):100 @ 1.5A, 1.5V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):2A
Email:[email protected]

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