MGSF1N03LT3 - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル MGSF1N03LT3

MGSF1N03LT3

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	100 mOhm @ 1.2A, 10V
電力消費（最大）:	420mW (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	MGSF1N03LT3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	140pF @ 5V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	-
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 1.6A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	1.6A (Ta)
Email:	[email protected]