MJ11030G
MJ11030G
部品型番:
MJ11030G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13811 Pieces
データシート:
MJ11030G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):90V
IB、IC @ Vce飽和(最大):3.5V @ 500mA, 50A
トランジスタ型式:NPN - Darlington
サプライヤデバイスパッケージ:TO-3
シリーズ:-
電力 - 最大:300W
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:TO-204AE
運転温度:-55°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:MJ11030G
周波数 - トランジション:-
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90V 50A 300W Through Hole TO-3
説明:TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):1000 @ 25A, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):2mA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):50A
Email:[email protected]

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