MJD112-001
MJD112-001
部品型番:
MJD112-001
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
リード/ RoHS非対応
在庫数量:
16766 Pieces
データシート:
MJD112-001.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100V
IB、IC @ Vce飽和(最大):3V @ 40mA, 4A
トランジスタ型式:NPN - Darlington
サプライヤデバイスパッケージ:I-Pak
シリーズ:-
電力 - 最大:1.75W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
他の名前:MJD112-001OS
運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:MJD112-001
周波数 - トランジション:25MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-Pak
説明:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):1000 @ 2A, 3V
電流 - コレクタ遮断(最大):20µA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):2A
Email:[email protected]

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