MJW21195G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル MJW21195G

MJW21195G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	250V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	3V @ 3.2A, 16A
トランジスタ型式:	PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-247
シリーズ:	-
電力 - 最大:	200W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-247-3
他の名前:	MJW21195GOS
運転温度:	-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	MJW21195G
周波数 - トランジション:	4MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 16A 4MHz 200W Through Hole TO-247
説明:	TRANS PNP 250V 16A TO247
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	20 @ 8A, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100µA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	16A
Email:	[email protected]