MMBT2907ALT1G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G

簡潔な

BYCHIPSは、 MMBT2907ALT1G、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください MMBT2907ALT1Gをメールでお送りします。

購入 MMBT2907ALT1GとBYCHPS

保証付きで購入する

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	1.6V @ 50mA, 500mA
トランジスタ型式:	PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:	-
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	111806 MMBT2907ALT1GOS MMBT2907ALT1GOS-ND MMBT2907ALT1GOSTR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	15 Weeks
製造元の部品番号:	MMBT2907ALT1G
周波数 - トランジション:	200MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
説明:	TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	100 @ 150mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	10nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	600mA
Email:	[email protected]