MMBT5087LT1G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル MMBT5087LT1G

MMBT5087LT1G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	300mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式:	PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:	-
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	MMBT5087LT1GOS MMBT5087LT1GOS-ND MMBT5087LT1GOSTR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	MMBT5087LT1G
周波数 - トランジション:	40MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
説明:	TRANS PNP 50V 0.05A SOT23
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	250 @ 100µA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	50nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	50mA
Email:	[email protected]