MMBTH10LT1G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-rf MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	25V
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:	-
電力 - 最大:	225mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	MMBTH10LT1GOS MMBTH10LT1GOS-ND MMBTH10LT1GOSTR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ノイズ指数（F @デシベル標準）:	-
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	MMBTH10LT1G
利得:	-
周波数 - トランジション:	650MHz
拡張された説明:	RF Transistor NPN 25V 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
説明:	TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	60 @ 4mA, 10V
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	-
Email:	[email protected]