MSRT20060(A)D
MSRT20060(A)D
部品型番:
MSRT20060(A)D
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12231 Pieces
データシート:
MSRT20060(A)D.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.1V @ 200A
電圧 - 逆(VR)(最大):600V
サプライヤデバイスパッケージ:Three Tower
速度:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ:-
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:Three Tower
動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 150°C
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:MSRT20060(A)D
拡張された説明:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 200A Chassis Mount Three Tower
ダイオードタイプ:Standard
ダイオード構成:1 Pair Series Connection
説明:DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:10µA @ 600V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり):200A
Email:[email protected]

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