MUR10020CT - GeneSiC Semiconductor - ダイオード-整流器-アレイ MUR10020CT

MUR10020CT

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電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@:	1.3V @ 50A
電圧 - 逆（VR）（最大）:	200V
サプライヤデバイスパッケージ:	Twin Tower
速度:	Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ:	-
逆回復時間（trrの）:	75ns
パッケージング:	Bulk
パッケージ/ケース:	Twin Tower
他の名前:	MUR10020CTGN
動作温度 - ジャンクション:	-55°C ~ 150°C
装着タイプ:	Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	4 Weeks
製造元の部品番号:	MUR10020CT
拡張された説明:	Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 100A (DC) Chassis Mount Twin Tower
ダイオードタイプ:	Standard
ダイオード構成:	1 Pair Common Cathode
説明:	DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:	25µA @ 50V
電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり）:	100A (DC)
Email:	[email protected]