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MURT10005R
MURT10005R
部品型番:
MURT10005R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15141 Pieces
データシート:
1.MURT10005R.pdf2.MURT10005R.pdf
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規格

電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@:1.3V @ 50A
電圧 - 逆（VR）（最大）:50V
サプライヤデバイスパッケージ:Three Tower
速度:Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ:-
逆回復時間（trrの）:75ns
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:Three Tower
他の名前:MURT10005RGN
動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 150°C
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
製造元の部品番号:MURT10005R
拡張された説明:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
ダイオードタイプ:Standard
ダイオード構成:1 Pair Common Anode
説明:DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:25µA @ 50V
電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）:100A (DC)
Email:[email protected]

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