購入 NDBA100N10BT4HとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | D²PAK (TO-263) |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 6.9 mOhm @ 50A, 15V |
電力消費(最大): | 110W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
運転温度: | 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 4 Weeks |
製造元の部品番号: | NDBA100N10BT4H |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2950pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 35nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 100A (Ta) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V 100A DPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100A (Ta) |
Email: | [email protected] |