NE3511S02-T1C-A - CEL - トランジスタ-fet、mosfet-rf NE3511S02-T1C-A - BYCHIPS

NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

部品型番:: NE3511S02-T1C-A

メーカー:: CEL (California Eastern Laboratories)

説明:: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 19915 Pieces

データシート:: NE3511S02-T1C-A.pdf

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規格

電圧 - テスト:	2V
電圧 - 定格:	4V
トランジスタ型式:	HFET
サプライヤデバイスパッケージ:	S02
シリーズ:	-
電力出力:	-
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	4-SMD, Flat Leads
他の名前:	NE3511S02-T1C-A-ND NE3511S02-T1C-ATR
雑音指数:	0.3dB
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NE3511S02-T1C-A
利得:	13.5dB
周波数:	12GHz
拡張された説明:	RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
説明:	IC AMP RF LNA 13.5DB S02
定格電流:	70mA
電流 - テスト:	10mA
Email:	[email protected]

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