NJVNJD35N04T4G
NJVNJD35N04T4G
部品型番:
NJVNJD35N04T4G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14746 Pieces
データシート:
NJVNJD35N04T4G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):350V
IB、IC @ Vce飽和(最大):1.5V @ 20mA, 2A
トランジスタ型式:NPN - Darlington
サプライヤデバイスパッケージ:DPAK-3
シリーズ:-
電力 - 最大:45W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:NJVNJD35N04T4G
周波数 - トランジション:90MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 90MHz 45W Surface Mount DPAK-3
説明:TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):2000 @ 2A, 2V
電流 - コレクタ遮断(最大):50µA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):4A
Email:[email protected]

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