NP80N04KHE-E1-AY - Renesas Electronics America - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NP80N04KHE-E1-AY

NP80N04KHE-E1-AY

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-263
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8 mOhm @ 40A, 10V
電力消費（最大）:	1.8W (Ta), 120W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度:	175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	16 Weeks
製造元の部品番号:	NP80N04KHE-E1-AY
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	3300pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	60nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 40V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	40V
説明:	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	80A (Tc)
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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