購入 NSB8MT-E3/81とBYCHPS
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NSB8MT-E3/81
- 部品型番:
- NSB8MT-E3/81
- 説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15286 Pieces
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BYCHIPSは、 NSB8MT-E3/81、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください NSB8MT-E3/81をメールでお送りします。
規格
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1.1V @ 8A |
|---|---|
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 1000V (1kV) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-263AB |
| 速度: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ: | - |
| パッケージング: | Original-Reel® |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前: | NSB8MT-E3/81GIDKR |
| 動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 150°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 30 Weeks |
| 製造元の部品番号: | NSB8MT-E3/81 |
| 拡張された説明: | Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount TO-263AB |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 説明: | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 10µA @ 1000V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 8A |
| Vrと、F @キャパシタンス: | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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