NSS12501UW3T2G
NSS12501UW3T2G
部品型番:
NSS12501UW3T2G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN 12V 5A 3-WDFN
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17455 Pieces
データシート:
NSS12501UW3T2G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):12V
IB、IC @ Vce飽和(最大):120mV @ 400mA, 4A
トランジスタ型式:NPN
サプライヤデバイスパッケージ:3-WDFN (2x2)
シリーズ:-
電力 - 最大:875mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:3-WDFN Exposed Pad
他の名前:NSS12501UW3T2GOSTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:14 Weeks
製造元の部品番号:NSS12501UW3T2G
周波数 - トランジション:150MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 5A 150MHz 875mW Surface Mount 3-WDFN (2x2)
説明:TRANS NPN 12V 5A 3-WDFN
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):200 @ 2A, 2V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):5A
Email:[email protected]

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