NSS1C200LT1G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G

簡潔な

BYCHIPSは、 NSS1C200LT1G、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください NSS1C200LT1Gをメールでお送りします。

購入 NSS1C200LT1GとBYCHPS

保証付きで購入する

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	100V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 200mA, 2A
トランジスタ型式:	PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:	-
電力 - 最大:	490mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	NSS1C200LT1G-ND NSS1C200LT1GOSTR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	NSS1C200LT1G
周波数 - トランジション:	120MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 120MHz 490mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
説明:	TRANS PNP 100V 2A SOT-23
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	120 @ 50mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	2A
Email:	[email protected]