購入 NSS35200CF8T1GとBYCHPS
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NSS35200CF8T1G
- 部品型番:
- NSS35200CF8T1G
- 説明:
- TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 19977 Pieces
- データシート:
- NSS35200CF8T1G.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 NSS35200CF8T1G、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください NSS35200CF8T1Gをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 35V |
|---|---|
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 300mV @ 20mA, 2A |
| トランジスタ型式: | PNP |
| サプライヤデバイスパッケージ: | ChipFET™ |
| シリーズ: | - |
| 電力 - 最大: | 635mW |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
| 他の名前: | NSS35200CF8T1G-ND |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 2 Weeks |
| 製造元の部品番号: | NSS35200CF8T1G |
| 周波数 - トランジション: | 100MHz |
| 拡張された説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 635mW Surface Mount ChipFET™ |
| 説明: | TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 100 @ 1.5A, 2V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 100nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 2A |
| Email: | [email protected] |
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