NSV40501UW3T2G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル NSV40501UW3T2G

NSV40501UW3T2G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	40V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	150mV @ 400mA, 4A
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	3-WDFN (2x2)
シリーズ:	-
電力 - 最大:	875mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	3-WDFN Exposed Pad
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	NSV40501UW3T2G
周波数 - トランジション:	150MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 5A 150MHz 875mW Surface Mount 3-WDFN (2x2)
説明:	TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	200 @ 2A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	5A
Email:	[email protected]