NSVBC114YPDXV65G
NSVBC114YPDXV65G
部品型番:
NSVBC114YPDXV65G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12866 Pieces
データシート:
NSVBC114YPDXV65G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-563
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):10k
電力 - 最大:500mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:NSVBC114YPDXV65G
周波数 - トランジション:-
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
説明:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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