NSVTB60BDW1T1G
NSVTB60BDW1T1G
部品型番:
NSVTB60BDW1T1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19377 Pieces
データシート:
NSVTB60BDW1T1G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
トランジスタ型式:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
サプライヤデバイスパッケージ:SC-88/SC70-6/SOT-363
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):22k
電力 - 最大:250mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:NSVTB60BDW1T1G
周波数 - トランジション:-
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
説明:TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):150mA
Email:[email protected]

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