NTB30N06LT4 - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NTB30N06LT4

NTB30N06LT4

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	46 mOhm @ 15A, 5V
電力消費（最大）:	88.2W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	NTB30N06LT4OS
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NTB30N06LT4
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1150pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	32nC @ 5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 30A (Ta) 88.2W (Tc) Surface Mount D2PAK
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	30A (Ta)
Email:	[email protected]