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NTD3055L104-1G
NTD3055L104-1G
部品型番:
NTD3055L104-1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17350 Pieces
データシート:
NTD3055L104-1G.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:2V @ 250µA
Vgs（最大）:±15V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I-Pak
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:104 mOhm @ 6A, 5V
電力消費（最大）:1.5W (Ta), 48W (Tj)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
他の名前:NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:5 Weeks
製造元の部品番号:NTD3055L104-1G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:440pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:20nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-Pak
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:12A (Ta)
Email:[email protected]

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