NTD3813N-35G - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NTD3813N-35G

NTD3813N-35G

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	I-Pak
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8.75 mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大）:	1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-251-3 Stub Leads, IPak
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NTD3813N-35G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	963pF @ 12V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	12.8nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 16V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole I-Pak
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	16V
説明:	MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	9.6A (Ta), 51A (Tc)
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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NTD3813N-1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK	オンラインお問い合わせ
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