NTD4809NA-1G - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NTD4809NA-1G - BYCHIPS

NTD4809NA-1G

部品型番:: NTD4809NA-1G

メーカー:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

説明:: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 13755 Pieces

データシート:: NTD4809NA-1G.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	I-Pak
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	9 mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大）:	1.3W (Ta), 52W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NTD4809NA-1G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1456pF @ 12V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	13nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	9.6A (Ta), 58A (Tc)
Email:	[email protected]

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