購入 NTHD2110TT1GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 850mV @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | ChipFET™ |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 40 mOhm @ 6.4A, 4.5V |
電力消費(最大): | 1.1W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | NTHD2110TT1G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1072pF @ 6V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™ |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 12V |
説明: | MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |