NTLJS1102PTBG
NTLJS1102PTBG
部品型番:
NTLJS1102PTBG
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17828 Pieces
データシート:
NTLJS1102PTBG.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):720mV @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:6-WDFN (2x2)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
電力消費(最大):700mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:6-WDFN Exposed Pad
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:NTLJS1102PTBG
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1585pF @ 4V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:25nC @ 4.5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 8V 3.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:8V
説明:MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):3.7A (Ta)
Email:[email protected]

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