NTMFD4C85NT1G
NTMFD4C85NT1G
部品型番:
NTMFD4C85NT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15055 Pieces
データシート:
NTMFD4C85NT1G.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.1V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-DFN (5x6)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3 mOhm @ 20A, 10V
電力 - 最大:1.13W
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
他の名前:NTMFD4C85NT1GOSDKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
製造元の部品番号:NTMFD4C85NT1G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1960pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:32nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特長:Standard
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):15.4A, 29.7A
Email:[email protected]

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