NTMFS4H013NFT3G - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NTMFS4H013NFT3G

NTMFS4H013NFT3G

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.1V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	0.9 mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大）:	2.7W (Ta), 104W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerTDFN
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	26 Weeks
製造元の部品番号:	NTMFS4H013NFT3G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	3923pF @ 12V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	56nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 25V 43A (Ta), 269A (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	25V
説明:	MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	43A (Ta), 269A (Tc)
Email:	[email protected]