NVF3055L108T1G - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NVF3055L108T1G

NVF3055L108T1G

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 250µA
Vgs（最大）:	±15V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-223
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	120 mOhm @ 1.5A, 5V
電力消費（最大）:	1.3W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-261-4, TO-261AA
他の名前:	NVF3055L108T1G-ND NVF3055L108T1GOSTR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	20 Weeks
製造元の部品番号:	NVF3055L108T1G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	440pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	15nC @ 5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	3A (Ta)
Email:	[email protected]