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NVMFD5853NLT1G
NVMFD5853NLT1G
部品型番:
NVMFD5853NLT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14732 Pieces
データシート:
NVMFD5853NLT1G.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:2.4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:10 mOhm @ 15A, 10V
電力 - 最大:3W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
他の名前:NVMFD5853NLT1G-ND
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:13 Weeks
製造元の部品番号:NVMFD5853NLT1G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:1100pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:23nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:40V
説明:MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:12A
Email:[email protected]

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