NVTFS5116PLTAG - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NVTFS5116PLTAG

NVTFS5116PLTAG

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	8-WDFN (3.3x3.3)
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	52 mOhm @ 7A, 10V
電力消費（最大）:	3.2W (Ta), 21W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerWDFN
他の名前:	NVTFS5116PLTAG-ND NVTFS5116PLTAGOSTR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	23 Weeks
製造元の部品番号:	NVTFS5116PLTAG
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1258pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	25nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 60V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	6A (Ta)
Email:	[email protected]