PBLS6002D,115 - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス PBLS6002D,115

PBLS6002D,115

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V, 60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
トランジスタ型式:	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	6-TSOP
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	4.7k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	4.7k
電力 - 最大:	600mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SC-74, SOT-457
他の名前:	1727-5705-2 568-7250-2 568-7250-2-ND 934059265115 PBLS6002D T/R PBLS6002D T/R-ND PBLS6002D,115-ND
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	PBLS6002D,115
周波数 - トランジション:	185MHz
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA, 700mA 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP
説明:	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	1µA, 100nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA, 700mA
Email:	[email protected]