PBSS5160QAZ - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル PBSS5160QAZ

PBSS5160QAZ

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	460mV @ 50mA, 1A
トランジスタ型式:	PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	DFN1010D-3
シリーズ:	-
電力 - 最大:	325mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	3-XDFN Exposed Pad
他の名前:	1727-2385-2 568-12684-2 568-12684-2-ND PBSS5160QAZ-ND
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	6 Weeks
製造元の部品番号:	PBSS5160QAZ
周波数 - トランジション:	150MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 150MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
説明:	TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	85 @ 1A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	1A
Email:	[email protected]