PHE13007,127 - WeEn Semiconductors - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル PHE13007,127

PHE13007,127

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	400V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	350mV @ 1A, 5A
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220AB
シリーズ:	-
電力 - 最大:	80W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
他の名前:	1740-1443 568-9756-5 568-9756-5-ND 934055555127 PHE13007 PHE13007,127-ND PHE13007-ND PHE13007127
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	PHE13007,127
周波数 - トランジション:	-
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 8A 80W Through Hole TO-220AB
説明:	TRANS NPN 400V 8A TO220AB
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	8 @ 2A, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	200µA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	8A
Email:	[email protected]