PMBFJ110,215 - NXP USA Inc. - トランジスタ-jfet PMBFJ110,215

PMBFJ110,215

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電圧 - イド@カットオフ（VGSオフ）:	4V @ 1µA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）:	25V
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-23 (TO-236AB)
シリーズ:	-
抵抗 - RDS（ON）:	18 Ohm
電力 - 最大:	250mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	568-2080-2 934003900215 PMBFJ110 T/R
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	PMBFJ110,215
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	30pF @ 10V (VGS)
FETタイプ:	N-Channel
拡張された説明:	JFET N-Channel 10mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	25V
説明:	JFET N-CH 25V 250MW SOT23
電流 - 電圧Vds（VGS = 0）@ドレイン（IDSS）:	10mA @ 15V
Email:	[email protected]