PQMD3Z - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス PQMD3Z

PQMD3Z

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	150mV @ 500µA, 10mA
トランジスタ型式:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	DFN1010B-6
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	10k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	10k
電力 - 最大:	230mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-XFDFN Exposed Pad
他の名前:	1727-2713-2 568-13234-2 568-13234-2-ND 934069744147 PQMD3Z-ND
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	6 Weeks
製造元の部品番号:	PQMD3Z
周波数 - トランジション:	230MHz, 180MHz
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
説明:	TRANS NPN/PNP RET 6DFN
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	30 @ 5mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	1µA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
DDC143EH-7	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	オンラインお問い合わせ
DCX124EUQ-7-F	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363	オンラインお問い合わせ
RN2511(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV	オンラインお問い合わせ
UMA2NTR	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5	オンラインお問い合わせ
RN4608(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6	オンラインお問い合わせ
PUMH9,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP	オンラインお問い合わせ
PBLS4004Y,115	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP	オンラインお問い合わせ
UMC2NT1	ON Semiconductor	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70	オンラインお問い合わせ
PUMB3,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP	オンラインお問い合わせ