購入 PSMN006-20K,518とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 700mV @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 5 mOhm @ 5A, 4.5V |
電力消費(最大): | 8.3W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | 934057032518 PSMN006-20K /T3 PSMN006-20K /T3-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 2 (1 Year) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | PSMN006-20K,518 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 4350pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 32nC @ 2.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 20V 32A (Tc) 8.3W (Tc) Surface Mount 8-SO |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |