購入 PSMN102-200Y,115とBYCHPS
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PSMN102-200Y,115
- 部品型番:
- PSMN102-200Y,115
- メーカー:
- Nexperia
- 説明:
- MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15786 Pieces
- データシート:
- PSMN102-200Y,115.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 PSMN102-200Y,115、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください PSMN102-200Y,115をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | LFPAK56, Power-SO8 |
| シリーズ: | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 102 mOhm @ 12A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 113W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | SC-100, SOT-669 |
| 他の名前: | 1727-5227-2 568-6544-2 568-6544-2-ND 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | PSMN102-200Y,115 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1568pF @ 30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 30.7nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 200V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 200V |
| 説明: | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 21.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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