購入 PSMN4R0-60YS,115とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | LFPAK56, Power-SO8 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4 mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大): | 130W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SC-100, SOT-669 |
他の名前: | 1727-2470-2 568-12855-2 568-12855-2-ND 934064465115 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | PSMN4R0-60YS,115 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 3501pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 56nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 60V 74A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
説明: | MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 74A (Tc) |
Email: | [email protected] |