QS5Y1TR - Rohm Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ QS5Y1TR

QS5Y1TR

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	30V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	400mV @ 50mA, 1A
トランジスタ型式:	NPN, PNP (Emitter Coupled)
サプライヤデバイスパッケージ:	TSMT5
シリーズ:	-
電力 - 最大:	1.25W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
他の名前:	QS5Y1TRTR
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	QS5Y1TR
周波数 - トランジション:	300MHz, 270MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 30V 3A 300MHz, 270MHz 1.25W Surface Mount TSMT5
説明:	TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	200 @ 500mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	1µA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	3A
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
2N2918	Central Semiconductor Corp	TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6	オンラインお問い合わせ
HN4B01JE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN	オンラインお問い合わせ
BC847BDW1T3G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363	オンラインお問い合わせ