購入 RDN050N20FU6とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220FN |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 720 mOhm @ 2.5A, 10V |
電力消費(最大): | 30W (Tc) |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 Full Pack |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | RDN050N20FU6 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 292pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 18.6nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 200V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
説明: | MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5A (Ta) |
Email: | [email protected] |