RFM03U3CT(TE12L) - Toshiba Semiconductor and Storage - トランジスタ-fet、mosfet-rf RFM03U3CT(TE12L) - BYCHIPS

RFM03U3CT(TE12L)

RFM03U3CT(TE12L)

部品型番:: RFM03U3CT(TE12L)

メーカー:: Toshiba Semiconductor

説明:: MOSFET N-CH RF-CST3

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 14293 Pieces

データシート:: RFM03U3CT(TE12L).pdf

オンラインお問い合わせ

簡潔な

BYCHIPSは、 RFM03U3CT(TE12L)、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください RFM03U3CT(TE12L)をメールでお送りします。

購入 RFM03U3CT(TE12L)とBYCHPS

保証付きで購入する

規格

電圧 - テスト:	3.6V
電圧 - 定格:	16V
トランジスタ型式:	N-Channel
サプライヤデバイスパッケージ:	RF-CST3
シリーズ:	-
電力出力:	3W
パッケージング:	Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:	2-SMD, No Lead, Exposed Pad
他の名前:	RFM03U3CT(TE12L)CT
雑音指数:	-
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	RFM03U3CT(TE12L)
利得:	14.8dB
周波数:	520MHz
拡張された説明:	RF Mosfet N-Channel 3.6V 500mA 520MHz 14.8dB 3W RF-CST3
説明:	MOSFET N-CH RF-CST3
定格電流:	3A
電流 - テスト:	500mA
Email:	[email protected]

同様のモデルのRFM03U3CT(TE12L)

絵	部品型番	メーカー	説明	ビュー
	VMMK-1218-BLKG	Broadcom Limited	FET RF 5V 10GHZ 0402	オンラインお問い合わせ
	MRF6V2300NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO-272-4	オンラインお問い合わせ
	CGH60008D	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V DIE	オンラインお問い合わせ
	A2T18S162W31GSR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	オンラインお問い合わせ
	NE3509M04-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI	オンラインお問い合わせ
	MRF6S20010NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2	オンラインお問い合わせ
	PTFA091201GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2	オンラインお問い合わせ
	2N3819 PBFREE	Central Semiconductor Corp	JFET N-CH 25V TO92	オンラインお問い合わせ
	AFT21S140W02GSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2	オンラインお問い合わせ
	PTAB182002TCV2R250XUMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	オンラインお問い合わせ
	SD3933	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M177	オンラインお問い合わせ
	BF998RE6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143	オンラインお問い合わせ
	BG3130RE6327BTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363	オンラインお問い合わせ

最新ニュース