購入 RFN1L6STE25とBYCHPS
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RFN1L6STE25
- 部品型番:
- RFN1L6STE25
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15492 Pieces
- データシート:
- RFN1L6STE25.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 RFN1L6STE25、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください RFN1L6STE25をメールでお送りします。
規格
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1.45V @ 800mA |
|---|---|
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 600V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PMDS |
| 速度: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ: | - |
| 逆回復時間（trrの）: | 35ns |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | DO-214AC, SMA |
| 他の名前: | RFN1L6STE25TR |
| 動作温度 - ジャンクション: | 150°C (Max) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 20 Weeks |
| 製造元の部品番号: | RFN1L6STE25 |
| 拡張された説明: | Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 説明: | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 1µA @ 600V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 800mA |
| Vrと、F @キャパシタンス: | - |
| Email: | [email protected] |
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