RGTH00TS65DGC11 - Rohm Semiconductor - トランジスタ-igbt-シングル RGTH00TS65DGC11

RGTH00TS65DGC11

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	650V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:	2.1V @ 15V, 50A
試験条件:	400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:	39ns/143ns
エネルギーの切り替え:	-
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-247N
シリーズ:	-
逆回復時間（trrの）:	54ns
電力 - 最大:	277W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-247-3
運転温度:	-40°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	15 Weeks
製造元の部品番号:	RGTH00TS65DGC11
入力タイプ:	Standard
IGBTタイプ:	Trench Field Stop
ゲートチャージ:	94nC
拡張された説明:	IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
説明:	IGBT 650V 85A 277W TO-247N
電流 - コレクタパルス（ICM）:	200A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	85A
Email:	[email protected]