RN1906,LF
RN1906,LF
部品型番:
RN1906,LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16855 Pieces
データシート:
RN1906,LF.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:US6
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):4.7k
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前:RN1906LFTR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:RN1906,LF
周波数 - トランジション:250MHz
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
説明:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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