購入 RQ3E130MNTB1とBYCHPS
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RQ3E130MNTB1
- 部品型番:
- RQ3E130MNTB1
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 17007 Pieces
- データシート:
- RQ3E130MNTB1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 RQ3E130MNTB1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください RQ3E130MNTB1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-HSMT (3.2x3) |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 8.1 mOhm @ 13A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 2W (Ta) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
| 他の名前: | RQ3E130MNTB1TR |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | RQ3E130MNTB1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 840pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 14nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 説明: | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 13A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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