RT1E050RPTR
RT1E050RPTR
部品型番:
RT1E050RPTR
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 30V 5A TSST8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13059 Pieces
データシート:
RT1E050RPTR.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSST
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):36 mOhm @ 5A, 10V
電力消費(最大):1.25W (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SMD, Flat Lead
他の名前:RT1E050RPTRTR
RT1E050RPTRTR-ND
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:RT1E050RPTR
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1300pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:13nC @ 5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 5A TSST8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):5A (Ta)
Email:[email protected]

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